[发明专利]瞬态电压抑制二极管结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910491591.X | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN112054050A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 吴志伟;毛虹懿 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种瞬态电压抑制二极管结构及其制作方法，在半导体叠层内设置若干隔离环，若干隔离环将半导体叠层隔成若干叠层单元；分别在半导体叠层的上表面与下表面对应形成第一电极与第二电极，第一电极与第二电极连续分布于各个叠层单元。换言之，每个叠层单元对应一个瞬态电压抑制子二极管，各个瞬态电压抑制子二极管并联。瞬态电压抑制二极管反向使用时，各个瞬态电压抑制子二极管由于并联，因而各个叠层单元，具体地，各个叠层单元靠近隔离环处都可提供I |
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| 搜索关键词： | 瞬态 电压 抑制 二极管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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