[发明专利]一种改善金属线路断裂的方法及器件有效
| 申请号： | 201910484293.8 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110416076B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 徐智文;魏育才;张永宏;蔡松智 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/48;H01L23/485 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;林祥翔 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种改善金属线路断裂的方法及器件，其中方法包括如下步骤：对衬底进行介电层薄膜气相沉积；在介电层薄膜上进行正性光刻胶覆盖，并进行正性光刻胶曝光显影使得正性光刻胶的开口宽度由外向内收缩；采用等离子刻蚀对介电层薄膜刻蚀，刻蚀介电层薄膜和正性光刻胶，使得介电层薄膜的开口宽度由外向内收缩；去除正性光刻胶；在介电层薄膜上进行负性光刻胶覆盖、曝光和显影；进行金属镀膜和金属剥离。本方案采用侧壁倾斜的正性光刻胶，并使用等离子刻蚀对介电层薄膜进行刻蚀，从而使得介电层薄膜侧壁与底面的夹角为锐角，避免了后续金属沉积时发生金属断裂的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 金属 线路 断裂 方法 器件 | ||
【主权项】：
1.一种改善金属线路断裂的方法，其特征在于，包括如下步骤：对衬底进行介电层薄膜气相沉积；在介电层薄膜上进行正性光刻胶覆盖，并进行正性光刻胶曝光显影使得正性光刻胶的开口宽度由外向内收缩；采用等离子刻蚀对介电层薄膜刻蚀，刻蚀介电层薄膜和正性光刻胶，使得介电层薄膜的开口宽度由外向内收缩；去除正性光刻胶；在介电层薄膜上进行负性光刻胶覆盖、曝光和显影；进行金属镀膜和金属剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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