[发明专利]一种改善金属线路断裂的方法及器件有效
| 申请号： | 201910484293.8 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110416076B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 徐智文;魏育才;张永宏;蔡松智 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/48;H01L23/485 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;林祥翔 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 金属 线路 断裂 方法 器件 | ||
1.一种改善金属线路断裂的方法，其特征在于，包括如下步骤：
对衬底进行介电层薄膜气相沉积；
在介电层薄膜上进行正性光刻胶覆盖，并进行正性光刻胶曝光显影使得正性光刻胶的开口宽度由外向内收缩；
采用等离子刻蚀对介电层薄膜刻蚀，刻蚀介电层薄膜和正性光刻胶，使得介电层薄膜的开口宽度由外向内收缩；
去除正性光刻胶；
在介电层薄膜上进行负性光刻胶覆盖、曝光和显影，显影后的所述负性光刻胶上部开口宽度大于所述介电层薄膜下部的开口宽度；
进行金属镀膜和金属剥离，金属镀膜时的金属沉积在介电层开口两侧壁上。
2.根据权利要求1所述的一种改善金属线路断裂的方法，其特征在于：介电层薄膜沉积时沉积厚度为到薄膜应力为-600Mpa到-300Mpa。
3.根据权利要求1所述的一种改善金属线路断裂的方法，其特征在于：所述正性光刻胶的厚度在以上。
4.根据权利要求1所述的一种改善金属线路断裂的方法，其特征在于：所述正性光刻胶曝光时曝光机曝光能量在500eV到600eV之间，曝光焦距为大于0小于等于2.0um。
5.根据权利要求1所述的一种改善金属线路断裂的方法，其特征在于：采用等离子刻蚀对介电层薄膜刻蚀时，刻蚀气体为含氟气体与氧气的混合气体。
6.根据权利要求5所述的一种改善金属线路断裂的方法，其特征在于：刻蚀气体中含氟气体与氧气的混合比例为0.25:1到4:1。
7.根据权利要求5所述的一种改善金属线路断裂的方法，其特征在于：所述含氟气体为四氟化碳或六氟化硫。
8.根据权利要求1所述的一种改善金属线路断裂的方法，其特征在于：采用等离子刻蚀对介电层薄膜刻蚀时，刻蚀机的source RF为100W到300W之间，Platen RF为50W到150W之间，腔体压力为2mT到50mT之间，刻蚀气体总流量为50sccm到150sccm。
9.根据权利要求1到8任意一项所述的一种改善金属线路断裂的方法，其特征在于：所述介电层薄膜为氮化硅薄膜。
10.一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件由权利要求1到9任意一项的方法制得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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