[发明专利]一种硅太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201910474255.4 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110246905A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 连维飞;倪志春;魏青竹;胡党平;苗凤秀;霍亭亭 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 黄丽莉 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该太阳能电池自下而上依次包括：背面电极、第一氮化硅层、氧化铝层、第一氧化硅层、硅基体、发射极层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、第三氧化硅层以及正面电极。通过在电池正面氮化硅层上进一步增加氧化硅层，可以降低正面膜层的反射率，提升光的利用率，通过在背面氧化铝层与硅基体之间增加氧化硅层，有利于增强氧化铝固定负电荷的作用，增强了氧化铝的场钝化和化学钝化效果，从而提高了电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化硅层 氮化硅层 硅太阳能电池 氧化铝层 硅基体 氧化铝 制备 太阳能电池技术 二氧化硅层 固定负电荷 太阳能电池 背面电极 电池效率 电池正面 发射极层 化学钝化 正面电极 场钝化 反射率 正面膜 背面 | ||
【主权项】：
1.一种硅太阳能电池，其特征在于，自下而上依次包括：背面电极、第一氮化硅层、氧化铝层、第一氧化硅层、硅基体、发射极层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、第三氧化硅层以及正面电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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