[发明专利]一种硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硅太阳能电池，其特征在于，自下而上依次包括：背面电极、第一氮化硅层、氧化铝层、第一氧化硅层、硅基体、发射极层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、第三氧化硅层以及正面电极。

2.根据权利要求1所述的硅太阳能电池，其特征在于，在所述背面电极与所述第一氮化硅层之间还设置有第四氧化硅层。

3.根据权利要求1或2所述的硅太阳能电池，其特征在于，所述第二氧化硅层的厚度在1nm至5nm的范围内，所述第二氮化硅层的厚度在40nm至70nm的范围内，并且所述第二氮化硅层的折射率在2.08至2.15的范围内。

4.根据权利要求3所述的硅太阳能电池，其特征在于，所述第三氧化硅层的厚度在10nm至30nm的范围内。

5.根据权利要求2所述的硅太阳能电池，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度在1nm至5nm的范围内，所述氧化铝层的厚度在4nm至20nm的范围内，所述第一氮化硅层的厚度在60nm至90nm的范围内，并且所述第一氮化硅层的折射率在2.08至2.2的范围内。

6.根据权利要求5所述的硅太阳能电池，其特征在于，所述第四氧化硅层的厚度在10nm至30nm的范围内。

7.根据权利要求1所述的硅太阳能电池，其特征在于，所述硅基体为P型单晶硅基体。

8.一种硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

a)提供P型单晶硅片，并进行双面制绒，绒面尺寸在1μm至3μm的范围内；

b)对制绒后的硅片正面进行单面扩散，扩散方阻在70欧姆至100欧姆的范围内；

c)对单面扩散后的硅片进行背面抛光，使得背面反射率在35％以上；

d)对背面抛光后的硅片进行单面热氧化，在硅片正面形成第一氧化硅层，所述第一氧化硅层的厚度在1nm至5nm的范围内；

e)对单面热氧化后的硅片背面依次连续沉积第二氧化硅层、氧化铝层、第一氮化硅层、第三氧化硅层，所述第二氧化硅层的厚度在1nm至5nm的范围内，所述氧化铝层的厚度在4nm至20nm的范围内，所述第一氮化硅层的厚度在60nm至90nm的范围内，并且所述第一氮化硅层的折射率在2.08至2.2的范围内，所述第三氧化硅层的厚度在10nm至30nm的范围内；

f)在进行背面沉积之后的硅片的正面依次沉积第二氮化硅层和第四氧化硅层，所述第二氮化硅层的厚度在40nm至70nm的范围内，所述第二氮化硅层的折射率在2.08至2.15的范围内，所述第四氧化硅层的厚度在10nm至30nm的范围内；

g)在进行正面沉积之后的硅片背面进行激光开槽，以露出硅片表面用于形成电极接触的区域；

h)对激光开槽后的硅片进行丝网印刷和烧结，以形成电极。

9.根据权利要求8所述的硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤d)中进行的热氧化的温度在600℃至750℃的范围内，并且氧气流量在1SLM至5SLM的范围内，热氧化的时间在10分钟至30分钟的范围内。

10.根据权利要求8所述的硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤e)和步骤f)中的沉积均采用等离子体增强化学气相沉积法来进行。