[发明专利]一种光波导的制造方法有效
| 申请号： | 201910470974.9 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110045460B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 许庆;李志华;李彬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/132;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光波导的制造方法，包括：在半导体衬底上依次形成第一包覆层，芯层以及牺牲层；刻蚀所述牺牲层和所述芯层，形成包层槽；向所述包层槽填充绝缘介质材料，并进行表面平坦化，形成第二包覆层；去除所述牺牲层，形成芯层槽；生长所述芯层，填充满所述芯层槽并进行表面平坦化；在所述芯层和所述第二包覆层上方形成第三包覆层。该方案通过调节牺牲层的厚度可以实现对氮化硅光波导厚度的调节，满足不同的设计需要，更加的方便灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波导 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光波导的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上依次形成第一包覆层，芯层以及牺牲层；刻蚀所述牺牲层和所述芯层，形成包层槽；沉积绝缘介质材料，一部分沉积在所述包层槽内，一部分覆盖在牺牲层上，然后进行表面平坦化，形成第二包覆层；去除所述牺牲层，形成芯层槽；生长所述芯层，一部分填充满所述芯层槽，一部分覆盖在所述第二包覆层上，然后进行表面平坦化；在所述芯层和所述第二包覆层上方形成第三包覆层。
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