[发明专利]一种光波导的制造方法

权利要求书

1.一种光波导的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上依次形成第一包覆层，芯层以及牺牲层；

刻蚀所述牺牲层和所述芯层，形成包层槽；

沉积绝缘介质材料，一部分沉积在所述包层槽内，一部分覆盖在牺牲层上，然后进行表面平坦化，形成第二包覆层；

去除所述牺牲层，形成芯层槽；

生长所述芯层，一部分填充满所述芯层槽，一部分覆盖在所述第二包覆层上，然后进行表面平坦化；

在所述芯层和所述第二包覆层上方形成第三包覆层；

所述牺牲层的材料包括非晶硅，多晶硅；

去除所述牺牲层，形成芯层槽具体包括：

利用湿法化学腐蚀去除牺牲层，形成芯层槽。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底包括硅衬底，石英，多组分玻璃。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一包覆层厚度在2微米至15微米之间，并包含2微米及15微米在内。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯层是通过低压化学气相沉积制备。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述芯层厚度在100纳米至300纳米之间，并包含100纳米及300纳米在内。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述芯层材料包括氮化硅。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层是通过化学气相沉积或溅射制备。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述牺牲层厚度在100纳米至700纳米，并包含100纳米及700纳米在内。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述牺牲层和所述芯层采用反应离子刻蚀工艺。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，生长所述芯层包括：

利用低压化学气相沉积工艺使所述芯层生长，填充满所述芯层槽。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述芯层和所述第二包覆层上方形成第三包覆层具体包括：

在氮气氛围中进行退火处理，第三包覆层通过沉积或溅射制备。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一包覆层、所述第二包覆层和所述第三包覆层材料包括二氧化硅。