[发明专利]一种改善正向特性的槽型混合PiN肖特基二极管有效
| 申请号： | 201910459150.1 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110190117B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;王栋;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种改善正向特性的槽型混合PiN肖特基二极管，包括：N |
||
| 搜索关键词： | 一种 改善 正向 特性 混合 pin 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种改善正向特性的槽型混合PiN肖特基二极管，其特征在于，包括：N+衬底区(1)；漂移层(2)，位于所述N+衬底区(1)上，所述漂移层(2)的表面至少包括两个沟槽(3)及处于相邻两个所述沟槽(3)之间的一个凸起结构(4)；P型区，包括：沟槽底部P型区(5)和沟槽侧壁P型区(6)，其中，所述沟槽侧壁P型区(6)的第一侧边与所述沟槽(3)的第一侧壁、所述沟槽底部P型区(5)的第一侧边相互贴合，所述沟槽底部P型区(5)的顶端、所述沟槽侧壁P型区(6)的顶端分别与所述沟槽(3)的底部、所述凸起结构(4)的底部相互贴合；金属层，位于所述沟槽(3)与所述凸起结构(4)形成的凹凸结构的表面，所述金属层包括：第一金属层部分和第二金属层部分，其中，所述第一金属层部分与所述P型区的表面形成欧姆接触区(7)，所述第二金属层部分与所述漂移层(2)的表面形成肖特基接触区；第一部分阳极(9)，位于所述金属层的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910459150.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
