[发明专利]一种改善正向特性的槽型混合PiN肖特基二极管

权利要求书

1.一种改善正向特性的槽型混合PiN肖特基二极管，其特征在于，包括：

N⁺衬底区(1)；

漂移层(2)，位于所述N⁺衬底区(1)上，所述漂移层(2)的表面至少包括两个沟槽(3)及处于相邻两个所述沟槽(3)之间的一个凸起结构(4)；

P型区，包括：沟槽底部P型区(5)和沟槽侧壁P型区(6)，其中，所述沟槽侧壁P型区(6)的第一侧边与所述沟槽(3)的第一侧壁、所述沟槽底部P型区(5)的第一侧边相互贴合，所述沟槽底部P型区(5)的顶端、所述沟槽侧壁P型区(6)的顶端分别与所述沟槽(3)的底部、所述凸起结构(4)的顶部相互贴合，所述沟槽底部P型区(5)为掺杂硼的碳化硅材料，其硼材料的掺杂浓度≥1×10¹⁹/cm^-3，所述沟槽侧壁P型区(6)为掺杂硼的碳化硅材料，其硼材料的掺杂浓度≥1×10¹⁹/cm^-3；

金属层，位于所述沟槽(3)与所述凸起结构(4)形成的凹凸结构的表面，所述金属层包括：第一金属层部分和第二金属层部分，其中，所述第一金属层部分位于所述沟槽底部P型区(5)、所述沟槽侧壁P型区(6)的表面，所述第一金属层部分与所述沟槽底部P型区(5)、所述沟槽侧壁P型区(6)的表面形成欧姆接触区(7)，所述第二金属层部分与所述漂移层(2)的表面形成肖特基接触区；

所述肖特基接触区包括：第一肖特基接触区(8)和第二肖特基接触区(10)，其中，

位于所述凸起结构(4)上的第二金属层部分与所述漂移层(2)形成所述第一肖特基接触区(8)；

位于所述沟槽(3)上的第二金属层部分与所述漂移层(2)形成所述第二肖特基接触区(10)；

所述第二肖特基接触区(10)包括：纵向肖特基接触区和横向肖特基接触区，其中，

所述横向肖特基接触区设置于所述沟槽(3)上，且与所述沟槽(3)的第二侧壁相互贴合，所述纵向肖特基接触区设置于所述横向肖特基接触区上，且所述纵向肖特基接触区与所述沟槽(3)的第二侧壁相互贴合；

第一部分阳极(9)，位于所述金属层的表面。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，

所述第一肖特基接触区(8)的高度等于所述横向肖特基接触区的高度、所述纵向肖特基接触区的宽度。

3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，

所述横向肖特基接触区的宽度等于所述沟槽(3)的宽度减去所述沟槽底部P型区(5)的宽度。

4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述纵向肖特基接触区的高度等于所述沟槽(3)的高度。

5.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，

所述沟槽侧壁P型区(6)的高度等于所述沟槽(3)的高度与所述沟槽底部P型区(5)的高度之和。

6.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述沟槽底部P型区(5)的宽度所述沟槽(3)的宽度。

7.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所有所述沟槽底部P型区(5)的宽度、高度对应相等。

8.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所有所述沟槽侧壁P型区(6)的宽度、高度对应相等。