[发明专利]一种石斛微景观种植方法

摘要

本发明公开一种石斛微景观种植方法，涉及石斛种植领域，基于石斛微景观成活率低的问题而提出的，本发明包括以下步骤：(一)材料准备；(二)将石斛苗种植在容器内；(三)对种植后的石斛苗进行养护：包括温度控制和湿度控制。本发明的有益效果在于：本发明的石斛微景观种植方法，可以设计各式各样的石斛微景观盆景，提升了石斛的价值空间及附加值，同时种植的石斛易于养护，成活率高，生根发芽快，适合新手种植和养护；本发明不受石斛苗年份大小及季节限定，适合一年四季进行种植养护，可以人为控制石斛苗种植的空气湿度和温度，控制石斛花期。

主权项

1.一种石斛微景观种植方法，其特征在于：包括以下步骤：(一)材料准备(1)植物准备：挑选石斛苗和常绿植物；(2)基质准备：准备河沙、石子、树皮和青苔；(3)器皿准备：选择带有盖子、具有透光性的容器，其中盖子上设有孔，孔内采用棉花或纱布塞住；(二)种植方法(1)将树皮用千分之一的高锰酸钾溶液浸泡后，沥干备用；(2)在容器底部铺2‑3cm厚的石子，再在石子上铺3‑4cm厚的河沙，浇水后，使河沙流到石子缝隙之间；(3)将准备好的石斛苗栽种到容器内，然后在石斛苗旁边栽种常绿植物；(4)浇透水，浇完水后将多余的水分吸走，使容器内没有流动的水后，用盖子将瓶口密封；(三)养护方法(1)栽种后一个月内对霍山石斛进行观察控制，包括湿度控制和温度控制；湿度控制：当容器内壁上有水珠流淌时，打开盖子进行通风；当容器内的石斛苗的叶片无水分、且沙子颜色变浅干燥时，对石斛苗进行喷水，喷水后将容器内流动的水吸走；温度控制：当容器的外界温度超过25℃、光照强度超过20000lux时，打开盖子；(2)对栽种的霍山石斛苗进行正常养护。