[发明专利]一种石斛微景观种植方法有效
| 申请号: | 201910449433.8 | 申请日: | 2019-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN110178711B | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
| 发明(设计)人: | 戴亚峰;王诗文;黄跃华;纵瑞叶;尚亮亮;李诚;许磊;潘跃 | 申请(专利权)人: | 九仙尊霍山石斛股份有限公司 |
| 主分类号: | A01G31/00 | 分类号: | A01G31/00;B44C5/06 |
| 代理公司: | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人: | 王亚洲 |
| 地址: | 237000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 石斛 景观 种植 方法 | ||
本发明公开一种石斛微景观种植方法,涉及石斛种植领域,基于石斛微景观成活率低的问题而提出的,本发明包括以下步骤:(一)材料准备;(二)将石斛苗种植在容器内;(三)对种植后的石斛苗进行养护:包括温度控制和湿度控制。本发明的有益效果在于:本发明的石斛微景观种植方法,可以设计各式各样的石斛微景观盆景,提升了石斛的价值空间及附加值,同时种植的石斛易于养护,成活率高,生根发芽快,适合新手种植和养护;本发明不受石斛苗年份大小及季节限定,适合一年四季进行种植养护,可以人为控制石斛苗种植的空气湿度和温度,控制石斛花期。
技术领域
本发明涉及石斛种植领域,具体涉及一种石斛微景观种植方法。
背景技术
石斛是兰科石斛属植物,不仅仅具有很好的保健价值,也同时具有极佳的观赏价值,由于其植株高度一般不超过10cm,野生生长在悬崖峭壁之间,因此极为适合微景观的种植养护。
但是石斛微景观种植过程中,一般人很难把握养护期间的空气湿度以及光照等条件,造成石斛微景观成活率低。
发明内容
本发明解决的技术问题在于石斛微景观成活率低,提供一种石斛微景观种植方法。
本发明是采用以下技术方案解决上述技术问题的:
本发明提供一种石斛微景观种植方法,包括以下步骤:
(一)材料准备
(1)植物准备:挑选石斛苗和常绿植物;
(2)基质准备:准备河沙、石子、树皮和青苔;
(3)器皿准备:选择带有盖子、具有透光性的容器,其中盖子上设有孔,孔内采用棉花或纱布塞住;
(二)种植方法
(1)将树皮用千分之一的高锰酸钾溶液浸泡后,沥干备用;
(2)在容器底部铺2-3cm厚的石子,再在石子上铺3-4cm厚的河沙,浇水后,使河沙流到石子缝隙之间;
(3)将准备好的石斛苗栽种到容器内,然后在石斛苗旁边栽种常绿植物;
(4)浇透水,浇完水后将多余的水分吸走,使容器内没有流动的水后,用盖子将瓶口密封;
(三)养护方法
(1)栽种后一个月内对霍山石斛进行观察控制,包括湿度控制和温度控制;
湿度控制:当容器内壁上有水珠流淌时,打开盖子进行通风;当容器内的石斛苗的叶片无水分、且沙子颜色变浅干燥时,对石斛苗进行喷水,喷水后将容器内流动的水吸走;
温度控制:当容器的外界温度超过25℃、光照强度超过20000lux时,打开盖子;
(2)对栽种的霍山石斛苗进行正常养护。
优选的,所述高锰酸钾的浸泡时间为8-12min。
优选的,将石斛苗栽种到容器内的方法包括:
(1)将准备好的石斛苗栽种到河沙中,在石斛苗和常绿植物的四周铺上2-3cm厚的树皮,将石斛苗向上提起,使石斛苗的根茎交接处与树皮齐平;
(2)在树皮上方沿着石斛苗的四周铺一层青苔,将石斛苗向上提起,使石斛苗的根茎交接处露出青苔。
优选的,将准备好的石斛苗栽种到容器内的方法包括:将石斛苗捆绑在石头或枯树庄上,然后将石头或枯树桩放置在容器内。
优选的,所述常绿植物为蕨类植物。
优选的,所述常绿植物遮挡石斛苗40-60%的光线。
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