[发明专利]一种衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910442488.6 | 申请日： | 2019-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110211922A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 张岩;江钧 | 申请（专利权）人： | 上海浦睿信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海愉腾专利代理事务所(普通合伙) 31306 | 代理人： | 唐海波 |
| 地址： | 200023 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法，包括以下步骤：在衬底上单晶薄膜表面形成通孔窗口图形掩膜层；通过窗口刻蚀单晶薄膜；去除图形掩膜层，得到刻蚀了通孔图形的单晶薄膜；该方法与主流的简单粗放地采用传统刻蚀铌酸锂条形不同，而是通过具有高刻蚀选择比的掩膜层来高精密地刻蚀穿孔铌酸锂薄膜，且可与下层衬底金属互联，实现衬底与铌酸锂集成和控制；为铌酸锂基器件与下层衬底进一步电气连接提供重要技术性基础。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 刻蚀 单晶薄膜 掩膜层 铌酸锂 通孔 下层 表面形成通孔 刻蚀选择比 铌酸锂薄膜 窗口图形 电气连接 通孔图形 图形掩膜 铌酸锂基 高精密 穿孔 去除 互联 金属 主流 | ||
【主权项】：
1.一种衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法包括以下步骤：在衬底上单晶薄膜表面形成通孔窗口图形掩膜层；通过窗口刻蚀单晶薄膜；去除图形掩膜层，得到刻蚀了通孔图形的单晶薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
