[发明专利]一种衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910442488.6 | 申请日： | 2019-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110211922A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 张岩;江钧 | 申请（专利权）人： | 上海浦睿信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海愉腾专利代理事务所(普通合伙) 31306 | 代理人： | 唐海波 |
| 地址： | 200023 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 刻蚀 单晶薄膜 掩膜层 铌酸锂 通孔 下层 表面形成通孔 刻蚀选择比 铌酸锂薄膜 窗口图形 电气连接 通孔图形 图形掩膜 铌酸锂基 高精密 穿孔 去除 互联 金属 主流 | ||
【权利要求书】：
1.一种衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法包括以下步骤：
在衬底上单晶薄膜表面形成通孔窗口图形掩膜层；
通过窗口刻蚀单晶薄膜；
去除图形掩膜层，得到刻蚀了通孔图形的单晶薄膜。
2.根据权利要求1所述的衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述通孔刻蚀方法还包括以下步骤：先在单晶薄膜表面形成硬掩膜层。
3.根据权利要求2所述的衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度根据与单晶薄膜的刻蚀选择比和厚度决定。
4.根据权利要求1所述的衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述衬底与单晶薄膜之间设有缓冲绝缘层。
5.根据权利要求1所述的衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述单晶薄膜在刻蚀前的通孔窗口区域经过质子交换法处理。
6.根据权利要求1至5之一所述的衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述通过窗口刻蚀单晶薄膜采用以下刻蚀方法中的任一或多种：干法刻蚀、激光加工刻蚀和钛扩散电化学刻蚀。
7.根据权利要求6所述的衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述衬底上单晶薄膜为直径1-300mm的晶圆片或者边长为1-300mm的长方形晶片。
8.根据权利要求1所述的衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述衬底上单晶薄膜为衬底上铌酸锂单晶薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
