[发明专利]半导体装置和存储器访问设定方法在审

专利信息
申请号: 201910442055.0 申请日: 2019-05-24
公开(公告)号: CN110543938A 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 佐佐本学;中村淳;H·雷思科;松尾茂 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G06N3/063 分类号: G06N3/063;G06N3/04
代理公司: 11256 北京市金杜律师事务所 代理人: 李辉;董典红<国际申请>=<国际公布>=
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 本申请涉及半导体装置和存储器访问设定方法。对存储器访问的限制降低了在卷积神经网络中的卷积处理期间的相关技术半导体装置的计算能力。根据本发明的一个方面的半导体装置包括加速器部分,加速器部分通过使用具有能够在单个存储体的基础上改变读取/写入状态的多个存储体的存储器来对包括在卷积神经网络中的多个中间层执行计算。加速器部分包括网络层控制部分,网络层控制部分根据包括在卷积神经网络中的中间层的输入数据和输出数据的传送量和传送速率,以改变分配给存储中间层的输入数据或输出数据的存储体的读取/写入状态的方式来控制存储器控制部分。
搜索关键词: 卷积神经网络 存储体 中间层 加速器 读取 半导体装置 存储器访问 输出数据 写入状态 网络层 技术半导体 控制存储器 存储器 计算能力 卷积处理 传送量 存储 传送 分配 申请
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:/n层计算部分,所述层计算部分对包括在卷积神经网络中的多个中间层中的每一个中间层的处理目标图像数据的元素执行包括卷积乘积和运算的运算处理;/n存储器,所述存储器存储包括在所述卷积神经网络中的所述中间层中的所述层计算部分的输入和输出数据,并且包括可独立读取和写入的多个存储体;/n存储器控制部分,所述存储器控制部分将每个所述存储体在可读取状态和可写入状态之间切换,并且执行在所述层计算部分和所述存储器之间的数据发送和接收的路由;和/n网络层控制部分,所述网络层控制部分根据包括在所述卷积神经网络中的所述中间层的输入数据和输出数据的传送量和传送速率,以改变存储所述中间层的所述输入数据或输出数据的所述存储体的读取状态和写入状态的分配的方式,来控制所述存储器控制部分。/n
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