[发明专利]基板处理装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910441988.8 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110534456A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 岛田宽哲;上村大义 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 金成哲;郑毅<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置及半导体装置的制造方法，抑制形成于基板的膜的膜厚偏差。基板处理装置包括：形成圆柱状的处理室的管部件；在管部件的外周面侧沿周向排列地形成多个并且划分通过供给孔与处理室连通的供给室的划分部件；在多个供给室分别配置一个以上，在侧面形成有将在内部流动的处理气体通过供给孔向处理室喷射的喷射孔，且沿轴向延伸的气体喷嘴；以及使多个气体喷嘴与对应的气体供给源分别连通的多个供气管。供给室包括第一喷嘴室和第二喷嘴室。处理气体包括原料气体，在第二喷嘴室配置有供原料气体流动的气体喷嘴和供其它处理气体流动的气体喷嘴。 | ||
| 搜索关键词： | 气体喷嘴 处理气体 供给室 喷嘴室 基板处理装置 原料气体 供给孔 管部件 连通 流动 半导体装置 气体供给源 划分部件 膜厚偏差 周向排列 轴向延伸 供气管 喷射孔 外周面 圆柱状 侧沿 基板 配置 喷射 侧面 制造 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：/n基板保持件，其将多个基板以在轴向上排列的状态保持；/n管部件，其为形成有容纳上述基板保持件的沿上述轴向延伸的圆柱状的处理室的管状的管部件，且形成有将上述处理室的内部的流体排出至外部的排出部和在上述处理室的周向上在与上述排出部不同的位置向上述处理室的内部供给对上述基板进行处理的处理气体的多个供给孔；/n划分部件，其在上述管部件的外周面侧沿上述周向排列地形成多个，并且划分通过上述供给孔与上述处理室连通的供给室；/n喷嘴，其沿上述轴向延伸，且在多个上述供给室分别配置有一个以上，并在侧面形成有将在内部流动的上述处理气体通过上述供给孔向上述处理室的内部喷射的喷射孔；以及/n多个供气管，其使各个上述喷嘴与各个气体供给源之间分别连通，/n上述供给室包括第一喷嘴室和第二喷嘴室，/n上述处理气体包括成为形成于上述基板的膜的原料的原料气体和辅助上述处理室内的上述原料气体的流动的辅助气体，/n上述喷嘴包括供辅助气体在内部流动的第一喷嘴和配置于第二喷嘴室且供上述原料气体在内部流动的第二喷嘴，/n上述第一喷嘴配置为与上述第二喷嘴相邻。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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