[发明专利]基板处理装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

基板保持件，其将多个基板以在轴向上排列的状态保持；

管部件，其为形成有容纳上述基板保持件的沿上述轴向延伸的圆柱状的处理室的管状的管部件，且形成有将上述处理室的内部的流体排出至外部的排出部和在上述处理室的周向上在与上述排出部不同的位置向上述处理室的内部供给对上述基板进行处理的处理气体的多个供给孔；

划分部件，其在上述管部件的外周面侧沿上述周向排列地形成多个，并且划分通过上述供给孔与上述处理室连通的供给室；

喷嘴，其沿上述轴向延伸，且在多个上述供给室分别配置有一个以上，并在侧面形成有将在内部流动的上述处理气体通过上述供给孔向上述处理室的内部喷射的喷射孔；以及

多个供气管，其使各个上述喷嘴与各个气体供给源之间分别连通，

上述供给室包括第一喷嘴室和第二喷嘴室，

上述处理气体包括成为形成于上述基板的膜的原料的原料气体和辅助上述处理室内的上述原料气体的流动的辅助气体，

上述喷嘴包括供辅助气体在内部流动的第一喷嘴和配置于第二喷嘴室且供上述原料气体在内部流动的第二喷嘴，

上述第一喷嘴配置为与上述第二喷嘴相邻。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在与上述第一喷嘴及上述第二喷嘴分别连通的上述供气管分别设有控制处理气体的流量的流量控制器。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述第二喷嘴室，以在上述周向上隔着供上述原料气体流动的上述第二喷嘴的方式配置一对供上述辅助气体流动的上述第一喷嘴。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

上述辅助气体的流动的时刻和上述原料气体的流动的时刻至少一部分重合，

以使从一对上述第一喷嘴的上述喷射孔分别喷射的辅助气体的喷出方向和从上述第二喷嘴的上述喷射孔喷射的原料气体的喷出方向实质上平行的方式形成上述喷射孔。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

控制上述流量控制器，使从一对上述第一喷嘴的上述喷射孔分别喷射的辅助气体的流量或流速比从上述第二喷嘴的上述喷射孔喷射的原料气体的流量或流速大。

6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

上述喷嘴包括配置于上述第一喷嘴室且供反应气体在内部流动的第三喷嘴。

7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第一喷嘴、上述第二喷嘴以及上述第三喷嘴具有与多个上述晶圆对应地形成的多个上述喷射孔。

8.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

在与上述第二喷嘴室相邻地形成的上述第一喷嘴室配置有供反应气体及上述辅助气体流动的上述第一喷嘴，

上述第一喷嘴仅在上述第二喷嘴未喷射上述原料气体时喷射上述反应气体，而在上述第二喷嘴喷射上述原料气体时，喷射上述辅助气体。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第二喷嘴配置为比上述第一喷嘴靠近上述反应室的中心。

10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第二喷嘴在比上述第一喷嘴接近上述反应室的中心的位置具备沿上述轴向延伸的两个管，在上述两个管分别以狭缝状设置上述喷射口。

11.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

上述喷嘴包括配置于上述第一喷嘴室且供惰性气体在内部流动的第三喷嘴，

在上述第二喷嘴遍布上述轴向地形成上述喷射孔，在上述第三喷嘴，仅在上端侧的部分及下端侧的部分形成上述喷射孔。