[发明专利]一种耦合光栅的制备方法有效
| 申请号： | 201910440604.0 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110161606B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;唐波;李志华;李彬;杨妍;刘若男 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 侯永帅;龚颐雯 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种耦合光栅的制备方法，属于硅基光电子制造技术领域，解决了现有技术中耦合光栅制备过程复杂、使用光刻版数量较多、成本较高的问题。本申请的制备方法包括如下步骤：提供一SOI衬底，SOI衬底沿水平方向分为Poly‑Si光栅区和Si光栅区，在SOI衬底的表面依次形成Poly‑Si层和硬掩膜层；对硬掩膜层和Poly‑Si层进行光刻和刻蚀，刻蚀至SOI衬底的顶硅层表面，在Poly‑Si光栅区形成第一光栅结构；在对Si光栅区的顶硅层进行刻蚀的同时利用硬掩模层作为阻挡层对第一光栅结构对应的顶硅层进行刻蚀，最终形成Poly‑Si光栅和Si光栅，制得耦合光栅。本申请的制备方法可用于耦合光栅的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耦合 光栅 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种耦合光栅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一SOI衬底，所述SOI衬底沿水平方向分为Poly‑Si光栅区和Si光栅区，在SOI衬底的表面依次形成Poly‑Si层和硬掩膜层；对硬掩膜层和SOI衬底的Poly‑Si层进行光刻和刻蚀，刻蚀至顶硅层表面，在Poly‑Si光栅区形成第一光栅结构；对第一光栅结构对应的顶硅层和Si光栅区的顶硅层进行刻蚀，形成Poly‑Si光栅和Si光栅，制得耦合光栅。
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