[发明专利]一种Bi2

摘要

本发明属于太阳能电池领域，公开了一种Bi2OS2沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列及制备与应用。将Zn(COOH)2的乙醇溶液旋涂在ITO基底表面，升温至200～300℃进行退火处理，得到波纹状ZnO晶种层，然后浸入Zn(NO3)2·6H2O和六亚甲基四胺的水溶液中，85～95℃温度下生长纳米棒，清洗干燥后得到负载有ZnO纳米棒阵列的ITO基底；将Bi2OS2粉末超声分散于水中，然后将Bi2OS2分散液滴加到ZnO纳米棒阵列上进行沉积，清洗干燥，得到产物。本发明的Bi2OS2沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列可作为有机太阳能电池的电子传输层，并最终提高有机太阳能电池的短路电流和光电转换效率。

主权项

1.一种Bi₂OS₂沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)将Zn(COOH)₂的乙醇溶液旋涂在ITO基底表面，然后升温至200～300℃进行退火处理，得到波纹状ZnO晶种层；(2)将Zn(NO₃)₂·6H₂O和六亚甲基四胺溶于水中构成生长液，将步骤(1)所得含有波纹状ZnO晶种层的ITO基底水平浸入到生长液中，在85～95℃温度下生长纳米棒，取出后清洗，干燥，得到负载有ZnO纳米棒阵列的ITO基底；(3)将Bi₂OS₂粉末研磨并超声分散于水中，得到Bi₂OS₂分散液，然后将Bi₂OS₂分散液滴加到步骤(2)的ZnO纳米棒阵列上进行沉积，无水乙醇冲洗，干燥，得到Bi₂OS₂沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列。