[发明专利]一种Bi2

权利要求书

1.一种Bi₂OS₂沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：

(1)将Zn(COOH)₂的乙醇溶液旋涂在ITO基底表面，然后升温至200～300℃进行退火处理，得到波纹状ZnO晶种层；

(2)将Zn(NO₃)₂·6H₂O和六亚甲基四胺溶于水中构成生长液，将步骤(1)所得含有波纹状ZnO晶种层的ITO基底水平浸入到生长液中，在85～95℃温度下生长纳米棒，取出后清洗，干燥，得到负载有ZnO纳米棒阵列的ITO基底；

(3)将Bi₂OS₂粉末研磨并超声分散于水中，得到Bi₂OS₂分散液，然后将Bi₂OS₂分散液滴加到步骤(2)的ZnO纳米棒阵列上进行沉积，无水乙醇冲洗，干燥，得到Bi₂OS₂沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列。

2.根据权利要求1所述的一种Bi₂OS₂沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述升温的速率为5～10℃/min。

3.根据权利要求1所述的一种Bi₂OS₂沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述波纹状ZnO晶种层的厚度为15～25nm。

4.根据权利要求1所述的一种Bi₂OS₂沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述生长纳米棒的时间为45～60min。

5.根据权利要求1所述的一种Bi₂OS₂沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述ZnO纳米棒的长度为50～200nm。

6.根据权利要求1所述的一种Bi₂OS₂沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于：步骤(3)中所述Bi₂OS₂分散液的质量浓度为1％～5％，粒径大小为10～100nm；所述沉积的时间为20～40s。

7.一种Bi₂OS₂沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列，其特征在于：通过权利要求1～6任一项所述的方法制备得到。

8.权利要求7所述的Bi₂OS₂沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列作为电子传输层在有机太阳能电池中的应用。

9.根据权利要求8所述的Bi₂OS₂沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列作为电子传输层在有机太阳能电池中的应用，其特征在于：所述有机太阳能电池包括阴极基底、电子传输层、活性层、空穴传输层以及阳极层，所述电子传输层材料为Bi₂OS₂沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列。

10.根据权利要求9所述的Bi₂OS₂沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列作为电子传输层在有机太阳能电池中的应用，其特征在于：所述阴极基底选自ITO，所述活性层材料为PTB7:PCBM，厚度为150～200nm，所述空穴传输层材料为MoO₃，厚度为5～10nm，所述阳极层材料为银，厚度为85～95nm。