[发明专利]相变化记忆体及其制造方法有效
| 申请号： | 201910436001.3 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110098325B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 郑胜鸿;张明丰;杨子澔 | 申请（专利权）人： | 北京时代全芯存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种相变化记忆体及其制造方法。制造相变化记忆体的方法包括以下操作：形成前驱结构；形成图案化硬遮罩层于第一导电材料层之上，其中图案化硬遮罩层与导电接触在第一导电材料层的法线方向上重叠；以图案化硬遮罩层为遮罩，蚀刻第一导电材料层，以形成锥形加热器于导电接触上；形成相变化层于锥形加热器上，其中相变化层具有接触区与锥形加热器的上表面接触；以及形成上电极于相变化层上。本揭露的制造相变化记忆体的方法具有制程简单的优点，且能够缩小锥形加热器与相变化层之间的接触面积，可以有效地提高加热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 记忆体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含以下操作：形成一前驱结构，该前驱结构包含：一第一介电层，具有一穿孔；一导电接触，位于该穿孔中；以及一第一导电材料层，位于该第一介电层上；形成一图案化硬遮罩层于该第一导电材料层之上，其中该图案化硬遮罩层与该导电接触在该第一导电材料层的一法线方向上重叠；以该图案化硬遮罩层为遮罩，蚀刻该第一导电材料层，以形成一锥形加热器于该导电接触上；形成一相变化层于该锥形加热器上，其中该相变化层具有一接触区与该锥形加热器的一上表面接触；以及形成一上电极于该相变化层上。
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