[发明专利]相变化记忆体及其制造方法

权利要求书

1.一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含以下操作：

形成一前驱结构，该前驱结构包含：一第一介电层，具有一穿孔；一导电接触，位于该穿孔中；以及一第一导电材料层，位于该第一介电层上；

形成一图案化硬遮罩层于该第一导电材料层之上，其中该图案化硬遮罩层与该导电接触在该第一导电材料层的一法线方向上重叠；

回蚀该图案化硬遮罩层，以缩小该图案化硬遮罩层的一顶表面面积；

蚀刻该第一导电材料层，以形成一图案化第一导电材料层，其中该图案化第一导电材料层具有一高地部分，该高地部分具有一顶部宽度及一底部宽度，且该底部宽度大于该顶部宽度；

移除该图案化硬遮罩层；

蚀刻该图案化第一导电材料层，以形成锥形加热器于该导电接触上，该锥形加热器具有一斜面角度为3至30度；

共形地形成一蚀刻停止层覆盖于该第一介电层、该锥形加热器、以及该导电接触上；

形成一第二介电层覆盖该蚀刻停止层；

以化学机械研磨移除部分该第二介电层与部分该蚀刻停止层，以暴露出该锥形加热器的一顶表面；

形成一相变化层于该锥形加热器上，其中该相变化层具有一接触区与该锥形加热器的一上表面接触；以及

形成一上电极于该相变化层上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该锥形加热器的该斜面角度为3至10度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该相变化层的操作包含：

形成一第三介电层于该第二介电层上，并覆盖该锥形加热器，其中该第三介电层具有一第一开口暴露出该锥形加热器的该上表面；

形成一相变化材料层于该第一开口中，并覆盖该第三介电层的一上表面；

平坦化该相变化材料层，以形成该相变化层于该第一开口中，并暴露该第三介电层的该上表面。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成该上电极的操作包含：

移除该相变化层的一顶部部分，以形成一第二开口；

共形地形成一第二导电材料层于该第二开口中；以及

平坦化该第二导电材料层，以形成该上电极。