[发明专利]一种制造光电二极管的方法以及相应光电二极管有效
| 申请号： | 201910432737.3 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110112237B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 方欣欣;夏春秋;柯天麒 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/103;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 李镝的 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造光电二极管的方法，包括下列步骤：提供p型衬底并对其第一侧进行注入以形成n型注入区；通过注入在n型注入区的边缘处形成p型注入区；在n型注入区和p型注入区上形成转移栅并且在转移栅的侧面形成侧墙；从p型衬底的与第一侧相对的第二侧除去p型衬底的除了p型注入区和n型注入区以外的部分；在p型衬底的第二侧形成绝缘层；刻蚀绝缘层以形成背侧深沟槽、以及背侧深沟槽绝缘体；在背侧深沟槽中进行外延生长以形成p型硅外延层；对p型硅外延层进行各向异性刻蚀以除去背侧深沟槽的底部处的p型硅外延层；以及在背侧深沟槽中进行外延生长以形成n型硅外延层。通过本发明，可避免高能注入并提高光电二极管的良品率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 光电二极管 方法 以及 相应 | ||
【主权项】：
1.一种制造光电二极管的方法，包括下列步骤：提供p型衬底；对p型衬底的第一侧进行注入以形成n型注入区；通过注入在n型注入区的边缘处形成p型注入区；在n型注入区和p型注入区上形成转移栅并且在转移栅的侧面形成侧墙；从p型衬底的与第一侧相对的第二侧除去p型衬底的除了p型注入区和n型注入区以外的部分；在p型衬底的第二侧形成绝缘层；刻蚀绝缘层以形成背侧深沟槽、以及背侧深沟槽绝缘体；在背侧深沟槽中进行外延生长以形成p型硅外延层；对p型硅外延层进行各向异性刻蚀以除去背侧深沟槽的底部处的p型硅外延层；以及在背侧深沟槽中进行外延生长以形成n型硅外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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