[发明专利]一种制造光电二极管的方法以及相应光电二极管

权利要求书

1.一种制造光电二极管的方法，包括下列步骤：

提供p型衬底；

对p型衬底的第一侧进行注入以形成n型注入区；

通过注入在n型注入区的边缘处形成p型注入区；

在n型注入区和p型注入区上形成转移栅并且在转移栅的侧面形成侧墙；

从p型衬底的与第一侧相对的第二侧除去p型衬底的除了p型注入区和n型注入区以外的部分；

在p型衬底的第二侧形成绝缘层；

刻蚀绝缘层以形成背侧深沟槽、以及背侧深沟槽绝缘体；

在背侧深沟槽中进行外延生长以形成p型硅外延层；

对p型硅外延层进行各向异性刻蚀以除去背侧深沟槽的底部处的p型硅外延层；以及

在背侧深沟槽中进行外延生长以形成n型硅外延层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中n型注入区的厚度为1μm。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：在p型衬底的第一侧形成互连接触层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中互连接触层包括下列各项中的一个或多个：接触层、层间介电层、以及金属层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中从p型衬底的与第一侧相对的第二侧除去p型衬底的除了p型注入区和n型注入区以外的部分包括下列步骤：

翻转p型衬底，使得p型衬底的与第一侧相对的第二侧朝上；以及

通过化学机械研磨除去p型衬底的除了p型注入区和n型注入区以外的部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层包括下列各项中的一个或多个二氧化硅、氮化硅、以及碳化硅。

7.一种光电二极管，包括：

n型注入区；

p型注入区，其布置在n型注入区的边缘处；

转移栅，其在n型注入区的第一侧布置在n型注入区和p型注入区上并且在转移栅的侧面布置有侧墙；

n型硅外延层，其在n型注入区的与第一侧相对的第二侧布置在n型注入区上；

p型硅外延层，其在第二侧布置在p型注入区上并且与n型硅外延层接触；以及

背侧深沟槽绝缘体，其在第二侧布置在p型注入区上并且与p型硅外延层接触。

8.根据权利要求7所述的光电二极管，还包括互连接触层，其在第一侧布置在n型注入区、p型注入区和转移栅上。

9.根据权利要求8所述的光电二极管，所述互连接触层包括下列各项中的一个或多个：接触层、层间介电层、以及金属层。

10.一种图像传感器，其具有根据权利要求7至9之一所述的光电二极管。