[发明专利]高电子迁移率晶体管装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910432625.8 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN111987155A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 陈志谚 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高电子迁移率晶体管装置及其制造方法，其中装置包含半导体层、栅极电极、第一介电层、源极场板、第二介电层、源极电极、第三介电层以及漏极结构。栅极电极设置于半导体层上。第一介电层设置于栅极电极上且具有第一凹槽位于栅极电极的第一侧，其中第一凹槽的底表面低于栅极电极的顶表面。源极场板设置于第一介电层上且从栅极电极的第二侧延伸至第一凹槽内。第二介电层设置于源极场板上。源极电极设置于第二介电层上且与源极场板电连接。第三介电层设置于源极电极上。漏极结构设置于栅极电极的第一侧且穿过第三介电层，其中第一凹槽位于漏极结构和栅极结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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