[发明专利]高电子迁移率晶体管装置及其制造方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管装置，其特征在于，包括：

一栅极电极，设置于一半导体层上；

一第一介电层，设置于该栅极电极上且具有一第一凹槽位于该栅极电极的一第一侧，其中该第一凹槽的一底表面低于该栅极电极的一顶表面；

一源极场板，设置于该第一介电层上且从该栅极电极的一第二侧延伸至该第一凹槽内；

一第二介电层，设置于该源极场板上；

一源极电极，设置于该第二介电层上且与该源极场板电连接；

一第三介电层，设置于该源极电极上；以及

一漏极结构，设置于该栅极电极的该第一侧且穿过该第三介电层，其中该第一凹槽位于该漏极结构和该栅极结构之间。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管装置，其特征在于，该第一介电层的一部分位于该第一凹槽和该漏极结构之间，且该源极场板不覆盖该部分。

3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管装置，其特征在于，该第一凹槽的宽度大于该部分的宽度。

4.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管装置，其特征在于，该第一凹槽的宽度小于该部分的宽度。

5.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管装置，其特征在于，该源极电极延伸至该部分正上方。

6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管装置，其特征在于，该第二介电层具有一第二凹槽，其中该第二凹槽位于该第一凹槽和该漏极结构之间，且该源极电极延伸至该第二凹槽内。

7.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管装置，其特征在于，该第二凹槽的一底表面不低于该第一凹槽的该底表面。

8.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管装置，其特征在于，该第二凹槽的该底表面位于该第一介电层内。

9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管装置，其特征在于，更包括一源极接触件，设置于该第三介电层上且与该源极电极电连接。

10.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管装置，其特征在于，该源极接触件延伸至该第一凹槽正上方。

11.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管装置，其特征在于，该第三介电层具有一第三凹槽，其中该第三凹槽位于该第一凹槽和该漏极结构之间，且该源极接触件延伸至该第三凹槽内。

12.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管装置，其特征在于，该第三凹槽的一底表面不低于该第一凹槽的该底表面。

13.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管装置，其特征在于，该第三凹槽的该底表面位于该第一介电层内。

14.一种高电子迁移率晶体管装置的制造方法，其特征在于，包括：

在一半导体层上形成一栅极电极；

在该栅极电极上形成一第一介电层；

对该第一介电层进行一第一图案化工艺，以在该栅极电极的一第一侧形成一第一凹槽，其中该第一凹槽的一底表面低于该栅极电极的一顶表面；

对该第一介电层进行一第二图案化工艺，以在该栅极电极的该第一侧形成一第一通孔且在该栅极电极的一第二侧形成一第二通孔，其中该第一凹槽位于该第一通孔和该栅极电极之间；

在该第一介电层上顺应性地形成一源极场板，其中该源极场板延伸至该第二通孔和该第一凹槽内；

在该源极场板上形成一第二介电层；

在该第二介电层上形成一源极电极，其中该源极电极与该源极场板电连接；

在该源极电极上形成一第三介电层；以及

在该第一通孔内形成一漏极结构。