[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明TFT基板的制作方法，以栅极为遮蔽层对金属氧化物半导体层进行UV光照射，使金属氧化物半导体层被UV光照射的部分导体化而形成源极、漏极及像素电极，使金属氧化物半导体层被栅极遮挡的部分仍保留半导体性质而形成半导体沟道，本发明通过栅极自对准及金属氧化物半导体层导体化工艺实现了源漏极与栅极的对准，能够有效控制源漏极与栅极的重叠区域，从而减小寄生电容，提高显示品质，且制作方法简单，提高了生产效率。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积金属氧化物半导体层(30)，对该金属氧化物半导体层(30)进行图案化处理得到第一预备图案(31)及与所述第一预备图案(31)一侧连接的第二预备图案(33)；步骤S2、在所述衬底基板(10)及金属氧化物半导体层(30)上沉积第一金属层(40)，对该第一金属层(40)进行图案化处理得到与所述第一预备图案(31)另一侧连接的连接块(41)，对所述连接块(41)进行加热处理，从而诱导所述第一预备图案(31)与所述连接块(41)接触的部分导体化；步骤S3、在所述衬底基板(10)、金属氧化物半导体层(30)及第一金属层(40)上沉积形成栅极绝缘层(50)，在所述栅极绝缘层(50)上沉积第二金属层(60)，对该第二金属层(60)进行图案化处理得到横跨第一预备图案(31)的栅极(61)；步骤S4、以所述栅极(61)为遮蔽层，从所述衬底基板(10)上方对所述第一预备图案(31)及第二预备图案(32)进行UV光照射，使得第一预备图案(31)对应位于所述栅极(61)两侧且分别连接所述连接块(41)和第二预备图案(32)的部分在UV光照射下导体化形成相间隔的源极(71)和漏极(72)，使得第二预备图案(32)在UV光照射下导体化形成像素电极(75)，使得第一预备图案(31)位于所述源极(71)和漏极(72)之间被所述栅极(61)遮挡的部分形成半导体沟道(73)。