[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板

说明书

本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明TFT基板的制作方法，以栅极为遮蔽层对金属氧化物半导体层进行UV光照射，使金属氧化物半导体层被UV光照射的部分导体化而形成源极、漏极及像素电极，使金属氧化物半导体层被栅极遮挡的部分仍保留半导体性质而形成半导体沟道，本发明通过栅极自对准及金属氧化物半导体层导体化工艺实现了源漏极与栅极的对准，能够有效控制源漏极与栅极的重叠区域，从而减小寄生电容，提高显示品质，且制作方法简单，提高了生产效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及TFT基板。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有源矩阵驱动式有机电致发光显示器(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)等平板显示器已经逐步取代阴极射线管(Cathode Ray Tube)显示器，广泛的应用于液晶电视、手机、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。

显示面板是LCD、OLED显示器的重要组成部分。不论是LCD显示面板，还是OLED显示面板，通常都具有一薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基板。以LCD显示面板为例，其主要是由TFT基板、彩色滤光片(Color Filter，CF)基板、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在TFT基板与CF基板上施加驱动电压来控制液晶层中液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。因此，薄膜晶体管是目前LCD和OLED显示器中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。

薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管有源层的材料也具有多种，其中，金属氧化物薄膜晶体管(metal oxide TFT)具有场效应迁移率高(≥10cm²/V·s)、制备工艺简单、大面积沉积均匀性好、响应速度快及可见光范围内透过率高等特点，被认为是显示器朝着大尺寸及柔性化方向发展的最有潜力的背板技术。

随着LCD与OLED显示器的分辨率越来越高，单位面积下薄膜晶体管所占的比例也越来越多。请参阅图1，现有TFT基板中，栅极110与源极120之间以及栅极110与漏极130之间在垂直于基板100的方向上均存在部分重叠区域，导致薄膜晶体管的栅极-漏极寄生电容(parasitic capacitance)Cgd以及栅极-漏极寄生电容Cgs，相对于储存电容的比例也随之升高。因此，将上述的薄膜晶体管应用于显示面板的驱动电路时，在信号的传输上往往会产生相当大的电阻电容负载(RC loading)，导致显示器的显示品质下降。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，通过栅极自对准及金属氧化物半导体层导体化工艺实现源漏极与栅极的对准，能够有效控制源漏极与栅极的重叠区域，从而减小寄生电容，提高显示品质。

本发明的目的还在于提供一种TFT基板，采用上述TFT基板的制作方法制作形成，能够有效控制源漏极与栅极的重叠区域，从而减小寄生电容，提高显示品质。

为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上沉积金属氧化物半导体层，对该金属氧化物半导体层进行图案化处理得到第一预备图案及与所述第一预备图案一侧连接的第二预备图案；

步骤S2、在所述衬底基板及金属氧化物半导体层上沉积第一金属层，对该第一金属层进行图案化处理得到与所述第一预备图案另一侧连接的连接块，对所述连接块进行加热处理，从而诱导所述第一预备图案与所述连接块接触的部分导体化；

步骤S3、在所述衬底基板、金属氧化物半导体层及第一金属层上沉积形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积第二金属层，对该第二金属层进行图案化处理得到横跨第一预备图案的栅极；