[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910428500.8 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111987154A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 周钰杰;林信志 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法。其中，上述半导体装置包含衬底和覆盖衬底的表面的导电层，衬底和导电层形成一复合基板。上述半导体装置亦包含覆盖导电层的介电层，其中导电层位于介电层与衬底之间。上述半导体装置更包含位于复合基板的上方的含氮化镓的复合层、设置于含氮化镓的复合层上的栅极电极、设置于含氮化镓的复合层上且分别位于栅极电极相对两侧的源极电极和漏极电极。半导体装置包含了具有导电层的复合基板，使复合基板适用于半导体装置制造的机台，达到与机台的贴合性。稳定设置的复合基板可使在其上方制作的电子元件的电性表现有效地提升。另外，复合基板的导电层包含可耐受高温的导电材料，使复合基板可适用于高温热工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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