[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一复合基板，包括一衬底和一导电层，所述导电层覆盖所述衬底的一表面；

一介电层，覆盖所述导电层，其中所述导电层位于所述介电层与所述衬底之间；

一含氮化镓的复合层，位于所述复合基板的上方；

一栅极电极，设置于所述含氮化镓的复合层上；

一源极电极和一漏极电极，设置于所述含氮化镓的复合层上且分别位于所述栅极电极的相对两侧。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电层包括金属、合金、金属氮化物、多晶硅、或前述的组合。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电层包括钛、钽、钨、铌、钼、钒、或包含前述金属的合金或氮化物。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电层包括钛、钽、钨、铌、钼、钒、钽铝、钛钨、氮化钛、氮化钽、氮化铝钛、氮化铝钽、氮化钨、氮化铌、氮化钼、氮化钒、或前述的组合。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电层包括熔点等于大于1400℃的导电材料。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电层的厚度在50nm-500nm范围之间。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电层包含耐受600℃以上温度的热工艺的导电材料。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述衬底包含陶瓷材料层以及包覆所述陶瓷材料层的绝缘层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电层和所述介电层设置于所述含氮化镓的复合层与所述衬底之间。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述衬底设置于所述含氮化镓的复合层与所述导电层之间。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电层具有相对的第一表面和第二表面，所述介电层覆盖所述导电层的所述第一表面。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述导电层的所述第二表面接触并覆盖所述衬底的上表面，所述含氮化镓的复合层、所述栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极设置于所述导电层的所述第一表面的上方。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述导电层的所述第二表面接触并覆盖所述衬底的下表面，且所述含氮化镓的复合层设置于所述衬底的上表面的上方。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述含氮化镓的复合层包括一缓冲层、一通道层设置于所述缓冲层上、以及一障壁层设置于所述通道层上。

15.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底的一表面上覆盖一导电层；

在所述导电层上覆盖一介电层，其中所述导电层位于所述介电层与所述衬底之间；

在所述衬底的上方形成一含氮化镓的复合层；

在所述含氮化镓的复合层上形成一源极电极和一漏极电极；以及

在所述含氮化镓的复合层上以及在所述源极电极与所述漏极电极之间形成一栅极电极。

16.根据权利要求15所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述导电层包括金属、合金、金属氮化物、多晶硅、或前述的组合。

17.根据权利要求15所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述导电层包括钛、钽、钨、铌、钼、钒、或包含前述金属的合金或氮化物。