[发明专利]一种测试银浆中的玻璃对硅片表面腐蚀深度的方法有效
申请号: | 201910424419.2 | 申请日: | 2019-05-21 |
公开(公告)号: | CN110174412B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 熊长军;郑建华;刘海东;敖毅伟;程意 | 申请(专利权)人: | 常州聚和新材料股份有限公司 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95;G01N23/2251;G01R31/389;H02S50/10 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 封喜彦;胡晶 |
地址: | 213000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种硅太阳能电池用导电银浆中的玻璃腐蚀硅表面深度的测试方法,该方法包括:1)使用单晶抛光硅片作为基底材料;2)将硅太阳能电池用导电银浆印刷至硅片抛光面上并完成银电极烧结;3)对烧结完成的银电极使用硝酸和氢氟酸进行交替酸洗,以去除银电极中的银和玻璃,酸洗后冲洗并烘干;4)在硅片背面进行切割,沿切割缝将硅片掰断;5)将有银浆腐蚀的一侧断面向上粘于电子显微镜样品机台上;6)使用电子显微镜观察断面并测试玻璃腐蚀深度。本发明的测试方法可以直观的测试硅片表面的玻璃腐蚀深度,从腐蚀的深浅程度可以有效的判断玻璃腐蚀对于电池的开路电压的影响程度,进而有助于判断或者改善银浆以及玻璃的电性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 测试 中的 玻璃 硅片 表面 腐蚀 深度 方法 | ||
【主权项】:
1.一种测试银浆中的玻璃对硅片表面腐蚀深度的方法,其特征在于,主要包括如下步骤:1)使用单晶抛光硅片作为基底材料;2)将硅太阳能电池用导电银浆印刷至单晶抛光硅片的抛光面上并完成银电极的烧结;3)采用如下方法对烧结完成的银电极进行酸洗:将步骤2所制得的烧结有银电极的硅片使用质量浓度30%‑60%的硝酸浸泡15min‑30min,并洗掉表面酸液,再使用质量浓度10%‑40%的氢氟酸浸泡15min‑30min,并洗掉表面酸液;重复上述硝酸和氢氟酸的酸洗步骤各一次;然后将酸洗后的硅片烘干;4)使用激光切割机在步骤3所制得的硅片背面切割,并沿切割缝将硅片掰断;其中,所述切割缝与银电极印刷处相交;5)将硅片有银浆腐蚀的一侧断面向上粘于电子显微镜样品机台上;6)使用电子显微镜观察断面并测量玻璃对硅片表面的腐蚀深度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州聚和新材料股份有限公司,未经常州聚和新材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910424419.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种鸡蛋蛋壳暗斑检测及分拣装置
- 下一篇:一种叶片缺陷检测方法及维护方法