[发明专利]一种测试银浆中的玻璃对硅片表面腐蚀深度的方法

权利要求书

1.一种测试银浆中的玻璃对硅片表面腐蚀深度的方法，其特征在于，主要包括如下步骤：

1) 使用单晶抛光硅片作为基底材料；

2) 将硅太阳能电池用导电银浆印刷至单晶抛光硅片的抛光面上并完成银电极的烧结；

3) 采用如下方法对烧结完成的银电极进行酸洗：

将步骤2所制得的烧结有银电极的硅片使用质量浓度30%-60%的硝酸浸泡15min-30min，并洗掉表面酸液，再使用质量浓度10%-40%的氢氟酸浸泡15min-30min，并洗掉表面酸液；

重复上述硝酸和氢氟酸的酸洗步骤各一次；

然后将酸洗后的硅片烘干；

4) 使用激光切割机在步骤3所制得的硅片背面切割，并沿切割缝将硅片掰断；其中，所述切割缝与银电极印刷处相交；

5）将硅片有银浆腐蚀的一侧断面向上粘于电子显微镜样品机台上；

6）使用电子显微镜观察断面并测量玻璃对硅片表面的腐蚀深度。

2.根据权利要求1所述的测试银浆中的玻璃对硅片表面腐蚀深度的方法，其特征在于，所述单晶抛光硅片的厚度为0.850mm以下。

3.根据权利要求1所述的测试银浆中的玻璃对硅片表面腐蚀深度的方法，其特征在于，所述单晶抛光硅片的表面粗糙度Ra≤1nm。

4.根据权利要求1所述的测试银浆中的玻璃对硅片表面腐蚀深度的方法，其特征在于，所述的硝酸及氢氟酸，其纯度为化学纯级别或者更高级别。

5.根据权利要求1所述的测试银浆中的玻璃对硅片表面腐蚀深度的方法，其特征在于，步骤3）中，洗掉表面酸液采用去离子水冲洗，两次所述去离子水冲洗的时间均为1min-2min；硅片烘干使用烘箱烘干，温度和时间为：50-150℃烘干3min-5min。

6.根据权利要求1所述的测试银浆中的玻璃对硅片表面腐蚀深度的方法，其特征在于，步骤5）和6）所述的电子显微镜为光学电子显微镜或者扫描电子显微镜。

7.一种测试银浆中的玻璃对硅片表面腐蚀深度的方法，其特征在于，主要包括：

采用如下方法对在硅片上烧结完成的银电极进行酸洗：

将烧结有银电极的硅片使用质量浓度30%-60%的硝酸浸泡15min-30min，并洗掉表面酸液，再使用质量浓度10%-40%的氢氟酸浸泡15min-30min，并洗掉表面酸液；

重复上述硝酸和氢氟酸的酸洗步骤各一次；

然后将酸洗后的硅片烘干；

之后切割硅片，使其含有银电极印刷处的断面，并使用显微镜观察断面，进而测量玻璃对硅片表面的腐蚀深度。

8.根据权利要求7所述的测试银浆中的玻璃对硅片表面腐蚀深度的方法，其特征在于，所述硅片为单晶抛光硅片，所述单晶抛光硅片的表面粗糙度Ra≤1nm；所述切割硅片为切割硅片背面。

9.根据权利要求7所述的测试银浆中的玻璃对硅片表面腐蚀深度的方法，其特征在于，所述硅片为单晶抛光硅片，所述单晶抛光硅片的厚度为0.850mm以下。

10.根据权利要求7所述的测试银浆中的玻璃对硅片表面腐蚀深度的方法，其特征在于，洗掉表面酸液采用去离子水冲洗，两次所述去离子水冲洗的时间均为1min-2min；硅片烘干使用烘箱烘干，温度和时间为：50-150℃烘干3min-5min。