[发明专利]SRAM存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201910414619.X | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN111952304B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种SRAM存储器及其形成方法，方法包括：形成横跨第一鳍部和第二初始鳍部的初始栅极结构，上拉鳍切割区位于初始栅极结构的侧部；在半导体衬底、第一鳍部和第二初始鳍部上形成覆盖初始栅极结构侧壁的介质层；在介质层和初始栅极结构上形成掩膜层，掩膜层中具有掩膜开口，掩膜开口位于上拉鳍切割区上且自第二初始鳍部的延伸方向上延伸至初始栅极结构上；在掩膜开口底部的初始栅极结构中形成第一切割层，使初始栅极结构形成位于第一切割层两侧的传输栅极结构和拉栅极结构；在掩膜开口底部的介质层和第二初始鳍部中形成位于上拉鳍切割区上的第二切割层，且使第二初始鳍部形成第二鳍部。所述方法提高了SRAM存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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