[发明专利]一种敏感元刻蚀型的非制冷红外窄带探测器及制备方法有效

专利信息
申请号: 201910414292.6 申请日: 2019-05-17
公开(公告)号: CN110160659B 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 黄志明;胡涛;张志博;张惜月;邱琴茜;马万里;吴彩阳;李敬波;高艳卿;马建华;黄敬国;吴敬 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: G01J5/20 分类号: G01J5/20
代理公司: 上海沪慧律师事务所 31311 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种敏感元刻蚀型的非制冷红外窄带探测器及制备方法,所述探测器由氧化铝衬底,金属反射层,锰钴镍氧敏感元,锰钴镍氧介质超表面结构层,锗单晶半球透镜,以及器件管座组成。通过精确控制刻蚀敏感元的结构参数,形成特定图案的锰钴镍氧介质超表面结构层,可以实现器件对特定波长的光达到完美吸收的效果;同时反射非特定波长的光,提升器件窄带探测的能力。本发明结构中,由于未引入等离子激元型的金属人工微结构,避免了能量在金属结构中的大量损失,从而保证了器件中敏感元部分吸收达到80%以上,光谱曲线的品质因子(Q值)可以达到15左右,对改善非制冷红外窄带探测器的响应率和目标识别精确度方面都有着十分重要的意义。
搜索关键词: 一种 敏感 刻蚀 制冷 红外 窄带 探测器 制备 方法
【主权项】:
1.一种敏感元刻蚀型的非制冷红外窄带探测器,包括锰钴镍氧敏感元(1),锰钴镍氧介质超表面结构层(2),氧化铝衬底(3),金属反射层(4),绝缘层(5),导热硅脂(6),电极(7),焊丝(8),器件引脚(9),锗单晶半球透镜(10),器件管座(11),其特征在于:所述的探测器结构如下:在氧化铝衬底(3)的上方依次镀有金属反射层(4),绝缘层(5),锰钴镍氧敏感元(1)和锰钴镍氧介质超表面结构层(2);在锰钴镍氧敏感元(1)表面,锰钴镍氧介质超表面结构层(2)的两侧,是电极(7);氧化铝衬底(3)通过导热硅脂(6)粘贴在器件管座(11)上;将电极(7)与器件引脚(9)用焊丝(8)相连;锗单晶半球透镜(10)封装在器件管座(11)上方的卡槽里。
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