[发明专利]一种敏感元刻蚀型的非制冷红外窄带探测器及制备方法

权利要求书

1.一种敏感元刻蚀型的非制冷红外窄带探测器的制备方法,所述的非制冷红外窄带探测器包括锰钴镍氧敏感元(1)，锰钴镍氧介质超表面结构层(2)，氧化铝衬底(3)，金属反射层(4)，绝缘层(5)，导热硅脂(6)，电极(7)，焊丝(8)，器件引脚(9)，锗单晶半球透镜(10)，器件管座(11)；探测器的结构为：在氧化铝衬底(3)的上方依次镀有金属反射层(4)，绝缘层(5)，锰钴镍氧敏感元(1)和锰钴镍氧介质超表面结构层(2)；在锰钴镍氧敏感元(1)表面，锰钴镍氧介质超表面结构层(2)的两侧，是电极(7)；氧化铝衬底(3)通过导热硅脂(6)粘贴在器件管座(11)上；将电极(7)与器件引脚(9)用焊丝(8)相连；锗单晶半球透镜(10)封装在器件管座(11)上方的卡槽里；其特征在于所述的制备方法包括以下步骤：

1)在非晶氧化铝衬底上，用电子束蒸发的方法，依次沉积铬薄膜30nm，金薄膜300nm，得到金属反射层；

2)在金属反射层上，用原子层淀积的方法，沉积5nm氧化铝绝缘层,再采用射频磁控溅射生长方法，在绝缘层上常温溅射，沉积厚度为0.76um或者1.3um的锰钴镍氧敏感元薄膜；

3)在锰钴镍氧薄膜上，曝光显影后，使用干法刻蚀工艺，在敏感元上形成特定刻蚀图案和刻蚀深度的敏感元介质超表面；

4)在刻蚀形成的敏感元介质超表面的两侧，套刻显影处理后，获得电极图案，再使用电子束蒸发工艺，镀制铬金电极，剥离后，得到探测元；

5)机械划片探测元部分后，粘贴在底座的中心；采用点焊技术，将电极跟器件引脚用焊丝相连，实现电学导通；盖上锗单晶半球透镜，完成封装。