[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910413136.8 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN111952247A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 刘佑铭;贾超超;孟昭生 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/3105;H01L21/311;H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制备方法，方法包括以下步骤：提供衬底，形成有PMOS器件和NMOS器件；在衬底上方沉积应力诱导层，应力诱导层保形地沉积在PMOS器件和NMOS器件上方；根据应力诱导层的类型，对PMOS器件或NMOS器件上方的应力诱导层进行等离子体处理；进行退火处理，使PMOS器件记忆压应力，NMOS器件记忆张应力。本发明的方法使NMOS器件和PMOS器件分别记忆拉伸应力和压缩应力，增强NMOS器件沟道层的电子迁移率，PMOS器件沟道层的空穴迁移率，由此提高半导体器件的整体性能。只需形成一次应力诱导层便可以分别在PMOS器件和NMOS器件中记忆压缩应力和拉伸应力，实施过程简单，不会增加半导体器件的制备成本，同时还能够获得高性能的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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