[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910405749.7 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110491983A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 布丽塔·格厄茨;诺温·文·马尔姆 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/60;H01L25/075 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张春水;王逸君<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光电子半导体器件(1)，具有半导体本体(10)，所述半导体本体沿着主放射方向具有设计为用于产生电磁辐射的有源区域(103)和耦合输出面(10A)，所述有源区域具有多个可彼此独立操控的发射区域(50)。此外，光电子半导体器件(1)包括波长转换元件(30)，所述波长转换元件借助于金属分离器(301)具有彼此光学分离的转换区域(60)，并且所述波长转换元件沿所述有源区域(103)的所述主放射方向位于所述半导体本体(10)的下游。所述发射区域(50)至少部分地对准所述转换区域(60)并且与所述转换区域(60)一对一地相关联。此外提出一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子半导体器件 波长转换元件 半导体本体 转换区域 源区域 发射区域 放射 金属分离器 耦合输出面 电磁辐射 彼此独立 操控 一对一 对准 关联 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光电子半导体器件(1)，具有：/n-半导体本体(10)，所述半导体本体沿着主放射方向具有设计为用于产生电磁辐射的有源区域(103)和耦合输出面(10A)，和/n-波长转换元件(30)，所述波长转换元件借助于金属分离器(301)具有彼此光学分离的转换区域(60)，并且所述波长转换元件沿所述有源区域(103)的所述主放射方向位于所述半导体本体(10)的下游，其中/n-所述有源区域(103)具有多个可彼此独立操控的发射区域(50)，和/n-所述发射区域(50)至少部分地对准所述转换区域(60)并且与所述转换区域(60)一对一地相关联。/n
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