[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法

权利要求书

1.一种光电子半导体器件(1)，具有：

-半导体本体(10)，所述半导体本体沿着主放射方向具有设计为用于产生电磁辐射的有源区域(103)和耦合输出面(10A)，和

-波长转换元件(30)，所述波长转换元件借助于金属分离器(301)具有彼此光学分离的转换区域(60)，并且所述波长转换元件沿所述有源区域(103)的所述主放射方向位于所述半导体本体(10)的下游，其中

-所述有源区域(103)具有多个可彼此独立操控的发射区域(50)，和

-所述发射区域(50)至少部分地对准所述转换区域(60)并且与所述转换区域(60)一对一地相关联。

2.根据上一项权利要求所述的光电子半导体器件(1)，其中每个发射区域(50)与刚好一个转换区域(60)相关联。

3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(1)，其中在不同的转换区域(60)中设置有不同的转换材料。

4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(1)，其中所述发射区域(50)和所述转换区域(60)沿横向于所述主放射方向的方向具有在200μm至300μm，优选在100μm至150μm和特别优选30μm至50μm的范围中的延展。

5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(1)，其中所述波长转换元件(30)沿所述主放射方向具有在5μm至20μm的范围中的延展。

6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(1)，其中所述金属分离器(301)形成网格，所述网格将所述波长转换元件(30)分成所述转换区域(60)。

7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(1)，其中所述半导体本体(10)借助于嵌在所述半导体本体(10)内部的隔离网格(110)被分为所述发射区域(50)。

8.根据上一项权利要求所述的光电子半导体器件(1)，其中所述金属分离器(301)在背离所述半导体本体(10)的侧上完全穿透所述波长转换元件(30)。

9.根据权利要求5或6所述的光电子半导体器件(1)，其中所述金属分离器(301)具有进行反射的层(302)。

10.一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法，所述方法具有下述步骤：

-提供半导体本体(10)，所述半导体本体沿着主放射方向具有设计为用于产生电磁辐射的有源区域(103)和耦合输出面(10A)，

-从所述耦合输出面(10A)的侧将具有多个留空部(90)的掩膜层(80)构成在所述半导体本体(10)上，

-将金属分离器(301)沉积在所述留空部(90)中，

-将波长转换元件(30)施加在所述半导体本体(10)的所述耦合输出面(10A)上，其中所述波长转换元件(30)施加为，使得所述金属分离器(301)至少部分地嵌入其中。

11.根据上一项权利要求所述的用于制造光电子半导体器件(1)的方法，其中将粘附层(70)设置在所述半导体本体(10)和所述金属分离器(301)之间。

12.根据上一项权利要求所述的用于制造光电子半导体器件(1)的方法，其中在所述金属分离器(301)沉积之后再次移除所述粘附层(70)。

13.根据上述权利要求中任一项所述的用于制造光电子半导体器件(1)的方法，其中所述留空部(90)自所述掩膜层(80)的背离所述半导体本体(10)的侧起完全穿透所述掩膜层(80)并且沿横向于所述主放射方向的方向对准所述半导体本体(10)的发射区域(50)。