[发明专利]梯级结构纳米多孔硅、其烧结-刻蚀制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201910404768.8 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110098404B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 吴振国;杨志伟;郭孝东;钟本和;陈彦逍;向伟 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M10/0525;C01B33/021;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都智言知识产权代理有限公司 51282 | 代理人： | 李龙;徐金琼 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于储能材料技术领域，具体涉及一种梯级结构纳米多孔硅、其烧结‑刻蚀制备方法及其应用。针对现有技术中大多数制备方法只能制备普通的纳米多孔硅结构，不能有效解决硅作为锂离子电池负极材料的体积膨胀的问题，本发明的技术方案是：针对体积膨胀过程中的应力空间分布，制备一种从颗粒内部向外孔径和孔隙率依次增加的一种结构，该种结构，可提供体积膨胀过程中需要的空间，有效地减少应力累积，减缓或消除嵌锂和脱锂过程中体积应变对硅负极结构的破坏。电动汽车的发展需要储能电池向高能量密度方向发展，硅以其超高的比能量密度成为最有可能的下一代锂离子负极材料，本发明能解决其膨胀问题必将能极大的推动储能电池在交通领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 梯级 结构 纳米 多孔 烧结 刻蚀 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种梯级结构纳米多孔硅的烧结‑刻蚀制备方法，其特征在于，包括如下步骤：[1]将硅粉与铜粉按比例混合碾磨，经充分研磨后的混合粉末在惰性气体气氛下进行烧结，得到前驱体；[2]将步骤[1]得到的前驱体在具有氧化性的溶液中进行刻蚀；[3]将经过步骤[2]刻蚀的前驱体过滤、洗涤和干燥即得梯级结构纳米多孔硅。
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