[发明专利]梯级结构纳米多孔硅、其烧结-刻蚀制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201910404768.8 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110098404B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 吴振国;杨志伟;郭孝东;钟本和;陈彦逍;向伟 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M10/0525;C01B33/021;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都智言知识产权代理有限公司 51282 | 代理人： | 李龙;徐金琼 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 梯级 结构 纳米 多孔 烧结 刻蚀 制备 方法 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种梯级结构纳米多孔硅的烧结-刻蚀制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
[1]将硅粉与铜粉按比例混合碾磨，经充分研磨后的混合粉末在惰性气体气氛下进行烧结，得到前驱体；
[2]将步骤[1]得到的前驱体在具有氧化性的溶液中进行刻蚀，所述具有氧化性的溶液用于刻蚀前驱体中的铜；
[3]将经过步骤[2]刻蚀的前驱体过滤、洗涤和干燥即得梯级结构纳米多孔硅；
所述硅粉与铜粉的混合比例为摩尔比0.5:1至5:1；
所述烧结采用的烧结温度为400-1100℃。
2.按照权利要求1所述的梯级结构纳米多孔硅的烧结-刻蚀制备方法，其特征在于：步骤[2]中所述具有氧化性的溶液为三氯化铁溶液。
3.一种按照权利要求1所述的梯级结构纳米多孔硅的烧结-刻蚀制备方法所制备的梯级结构纳米多孔硅。
4.一种按照权利要求1所述的梯级结构纳米多孔硅的烧结-刻蚀制备方法所制备的梯级结构纳米多孔硅用作锂离子电池负极材料。
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