[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910403443.8 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111952170B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 金吉松;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，形成方法包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层包括若干个相互分立的第一区和第二区，第一区和第二区相间排布，第一区与第二区邻接，待刻蚀层表面具有第一掩膜层；在第一区第一掩膜层内形成第一槽，第一槽在待刻蚀层表面具有第一投影；在部分第一槽内和第一掩膜层表面形成图形层，图形层内具有图形开口，图形开口在待刻蚀层表面具有第二投影，第二投影与第一投影部分重叠；以图形层和第一掩膜层为掩膜，在待刻蚀层内形成隔离开口；在隔离开口内形成隔离层；形成隔离开口后，以图形层为掩膜，刻蚀第二区第一掩膜层，形成第二槽。所形成的半导体器件的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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