[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干个相互分立的第一区和若干个相互分立的第二区，若干个相互分立的第一区和若干个相互分立的第二区均沿第一方向平行排布，第一区和第二区相间排布，且第一区与第二区邻接；

在所述待刻蚀层表面形成第一掩膜层；

在各个所述第一区的第一掩膜层内形成第一槽，所述第一槽在待刻蚀层表面具有第一投影；

在部分所述第一槽内、第一区第一掩膜层表面和部分第二区第一掩膜层表面形成图形层，所述图形层内具有图形开口，所述图形开口在待刻蚀层表面具有第二投影，所述第二投影与第一投影部分重叠；

以所述图形层和第一掩膜层为掩膜，在所述待刻蚀层内形成隔离开口；

在所述隔离开口内形成隔离层；

形成所述隔离开口之后，以所述图形层为掩膜，刻蚀所述第二区的第一掩膜层，在所述第二区的第一掩膜层内形成第二槽。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀层的材料包括低禁带宽度材料；所述第一掩膜层的材料包括非晶硅、氧化硅或者氮化硅。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料包括高禁带宽度材料。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料包括：三氧化二铝、氮化硅、氮化铝或者氮化钛。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料包括低禁带宽度材料。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离开口沿第一方向的尺寸为：5纳米～20纳米；所述隔离开口沿垂直于第一方向的尺寸为长：50纳米～2微米。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：去除所述图形层，暴露出第一槽；所述隔离开口的侧壁与底部垂直。

8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一槽的侧壁与底部垂直；所述第二槽的侧壁与底部垂直；去除所述图形层之后，还包括：在所述第一槽和第二槽沿第一方向的侧壁形成侧墙；以所述侧墙、隔离层和第一掩膜层为掩膜，在所述第一槽底部的待刻蚀层内形成第一目标槽；以所述侧墙、隔离层和第一掩膜层为掩膜，在所述第二槽底部的待刻蚀层内形成第二目标槽；在所述第一目标槽内形成第一导电层，所述第一导电层充满第一目标槽；在所述第二目标槽内形成第二导电层，所述第二导电层充满第二目标槽。

9.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一槽顶部尺寸大于底部尺寸；所述第一槽顶部尺寸大于底部尺寸；去除所述图形层之后，还包括：以所述第一掩膜层和隔离层为掩膜，在所述第一槽底部的待刻蚀层内形成第一目标槽；以所述第一掩膜层和隔离层为掩膜，在所述第二槽底部的待刻蚀层内形成第二目标槽；在所述第一目标槽和第二目标槽内形成导电膜；平坦化所述导电膜和部分待刻蚀层，在所述第一目标槽内形成第一导电层，所述第一导电层充满第一目标槽，在所述第二目标槽内形成第二导电层，所述第二导电层充满第二目标槽。

10.如权利要求8或9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一导电层的材料包括金属；所述第二导电层的材料包括金属。

11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：去除所述隔离层，暴露出隔离开口。

12.如权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述隔离层之后，还包括：在所述隔离开口内形成绝缘层。

13.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述绝缘层材料包括低禁带宽度材料。