[发明专利]金属栅极及其制造方法

摘要

本发明提供的一种金属栅极及其制造方法，提供一基底，基底包括第一区和第二区，基底上形成有栅极膜层、第一硬掩模层、硅材料层、复合有机层阻挡层和图形化的第一光刻胶层，图形化的第一光刻胶层具有初始第一图形和初始第二图形，初始第一图形具有第一开口，初始第二图形具有第二开口；形成图形化的硅材料层；生成第一图形；在基底上形成图形化的第二光刻胶，以图形化的第二光刻胶为掩模刻蚀第二区的硅材料层，以生成第二图形，形成图形化的第二硬掩模层；形成图形化的栅极膜层，从而优化了光刻工艺，降低了工艺难度，还降低了生产成本，减低工艺对后续形成的栅极第一图形和第二图形的形貌造成影响，降低了工艺难度，提高了工艺稳定性。

主权项

1.一种金属栅极的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基底，所述基底包括第一区和第二区，所述基底上形成有栅极膜层、第一硬掩模层、硅材料层、复合有机层阻挡层和图形化的第一光刻胶层，图形化的所述第一光刻胶层在第一区具有初始第一图形，在第二区具有初始第二图形，初始第一图形具有第一开口，初始第二图形具有第二开口；以图形化的所述第一光刻胶层为掩模依次刻蚀所述复合有机层阻挡层和硅材料层，将所述初始第一图形和初始第二图形复制至所述硅材料层中，以形成图形化的硅材料层；在所述基底上形成第二硬掩模层，所述第二硬掩模层覆盖了所述硅材料层的表面，以及所述第一开口和第二开口的侧壁，再刻蚀所述硅材料层表面上的所述第二硬掩模层，以生成第一图形；在所述基底上形成图形化的第二光刻胶，以图形化的所述第二光刻胶为掩模刻蚀所述第二区的硅材料层，以生成第二图形，形成图形化的第二硬掩模层；以及以所述硅材料层和图形化的第二硬掩模层为掩模，依次刻蚀所述第一硬掩模层和栅极膜层，并停止在部分深度的所述栅极膜层中，将所述第一图形和第二图形复制至栅极膜层中，以形成图形化的栅极膜层。