[发明专利]一种太阳能电池片、其制绒方法及太阳能电池有效
申请号: | 201910397996.7 | 申请日: | 2019-05-14 |
公开(公告)号: | CN110112234B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 李超;付少剑;黄明;徐昆;孟少东;雷佳 | 申请(专利权)人: | 江西展宇新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 豆贝贝;赵青朵 |
地址: | 334100 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明提供了一种太阳能电池片、其制绒方法及太阳能电池。本发明提供的制绒方法中先对硅片进行碱处理,去除硅片表面损伤层并在硅片表面形成类金字塔绒面结构;在该绒面上沉积保护膜后,涂光刻胶进行曝光显影形成掩膜,通过所述曝光显影来形成将硅片正面需要印刷正电极栅线的位置遮挡住的掩膜,对需要印刷正电极栅线位置处的类金字塔绒面结构进行保护;将掩膜未遮挡部位的保护膜层去除后,进行湿法黑硅刻蚀处理,在掩膜未遮挡部位处形成微纳尺寸孔洞绒面结构;再将掩膜处的光刻胶及保护膜层去除便得到太阳能电池片。上述制绒方法能够使硅片在扩散时形成均匀的PN结,并改善与浆料的接触性,从而降低串联电阻Rs,提高填充因子FF和电池效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池片的制绒方法,其特征在于,包括以下步骤:a)对硅片表面进行碱处理,去除硅片表面的损伤层,并使硅片正面形成类金字塔绒面结构;b)对所述步骤a)得到的硅片酸洗后,在硅片正面沉积保护膜层;c)在所述保护膜层表面涂布光刻胶,曝光显影形成掩膜,并将掩膜未遮挡位置处的保护膜除去;所述掩膜遮挡在硅片正面需要印刷正电极栅线的位置;d)对所述步骤c)得到的硅片进行湿法黑硅刻蚀处理,在硅片正面未被掩膜遮挡的位置处形成微纳尺寸孔洞绒面结构;e)除去所述掩膜处的光刻胶及保护膜,得到太阳能电池片;所得太阳能电池片正面需要印刷正电极栅线的位置处为类金字塔绒面结构,其它位置处为微纳尺寸孔洞绒面结构。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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