[发明专利]一种太阳能电池片、其制绒方法及太阳能电池有效
| 申请号: | 201910397996.7 | 申请日: | 2019-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN110112234B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
| 发明(设计)人: | 李超;付少剑;黄明;徐昆;孟少东;雷佳 | 申请(专利权)人: | 江西展宇新能源股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 豆贝贝;赵青朵 |
| 地址: | 334100 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 方法 | ||
1.一种太阳能电池片的制绒方法,其特征在于,包括以下步骤:
a)对硅片表面进行碱处理,去除硅片表面的损伤层,并使硅片正面形成类金字塔绒面结构;
b)对所述步骤a)得到的硅片酸洗后,在硅片正面沉积保护膜层;
c)在所述保护膜层表面涂布光刻胶,曝光显影形成掩膜,并将掩膜未遮挡位置处的保护膜除去;
所述掩膜遮挡在硅片正面需要印刷正电极栅线的位置;
d)对所述步骤c)得到的硅片进行湿法黑硅刻蚀处理,在硅片正面未被掩膜遮挡的位置处形成微纳尺寸孔洞绒面结构;
e)除去所述掩膜处的光刻胶及保护膜,得到太阳能电池片;
所得太阳能电池片正面需要印刷正电极栅线的位置处为类金字塔绒面结构,其它位置处为微纳尺寸孔洞绒面结构;
所述步骤a)中:
所述碱处理采用的处理剂包括碱金属氢氧化物和添加剂;
所述添加剂为NNM-A2添加剂;
所述碱金属氢氧化物在处理剂中的体积分数为10%~14%,所述添加剂在处理剂中的体积分数为0.4%~0.75%;
所述碱处理的温度为75~85℃,时间为160~250s;
所述步骤d)中:
所述湿法黑硅刻蚀处理包括:第一酸洗、沉银、挖孔、脱银、第二酸洗和扩孔处理;
所述挖孔处理中:
采用的挖孔处理剂包括:HF、H2O2、NNM-C2调节剂和NNM-D1调节剂;
所述HF在挖孔处理剂中的体积分数为8%~11.5%;
所述H2O2在挖孔处理剂中的体积分数为32.5%~37.0%;
所述NNM-C2调节剂在挖孔处理剂中的体积分数为0.4%~0.7%;
所述NNM-D1调节剂在挖孔处理剂中的体积分数为0.15%~0.35%;
所述挖孔处理的温度为30~35℃,时间为190~250s;
所述扩孔处理中:
采用的扩孔剂为HNO3与HF的混合酸液;
所述HNO3在混合酸液中的体积分数为34%~38%;
所述HF在混合酸液中的体积分数为5.0%~8.5%;
所述扩孔处理的温度为8~12℃,时间为80~130s。
2.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,
所述沉银包括第一沉银和第二沉银;
所述第一沉银中:
采用的沉银剂为氢氟酸与NNM-B 1控制剂的混合液;
其中,HF在所述混合液中的体积分数为8%~10%;NNM-B1控制剂在所述混合液中的体积分数为0.2%~0.45%;
第一沉银处理的温度为20~30℃,时间为90~140s;
所述第二沉银中:
采用的沉银剂为氢氟酸与NNM-B 1刻蚀剂的混合液;
其中,HF在所述混合液中的体积分数为0.4%~1.0%;NNM-B1刻蚀剂在所述混合液中的体积分数为0.01%~0.03%;
第二沉银处理的温度为20~30℃,时间为50~100s。
3.根据权利要求2所述的制绒方法,其特征在于,
所述第一酸洗中:
采用的酸洗液为体积分数为2.0%~4.5%的硝酸液;
第一酸洗的温度为20~30℃,时间为60~100s;
所述第二酸洗中:
采用的酸液为氢氟酸液;所述氢氟酸液中HF的体积分数为1.0%~3.0%;
第二酸洗的温度为20~30℃,时间为60~100s;
所述脱银包括第一脱银和第二脱银;
所述第一脱银中:
采用的脱银剂为体积分数为3.5%~6.5%双氧水和体积分数为2.0%~4.0%氨水的混合液;
第一脱银处理的温度为30~40℃,时间为100~200s;
所述第二脱银中:
采用的脱银剂为体积分数为3.5%~6.5%双氧水和体积分数为2.0%~4.0%氨水的混合液;
第二脱银处理的温度为30~40℃,时间为100~200s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西展宇新能源股份有限公司,未经江西展宇新能源股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910397996.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





