[发明专利]基于银纳米线-石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构、器件及制备方法有效
申请号: | 201910393502.8 | 申请日: | 2019-05-13 |
公开(公告)号: | CN110112233B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 郭道友;刘琦;王顺利;李培刚;唐为华 | 申请(专利权)人: | 唐为华 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/102;H01L31/18 |
代理公司: | 北京清诚知识产权代理有限公司 11691 | 代理人: | 乔东峰 |
地址: | 100088 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于银纳米线‑石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构及相应的制备方法,以及光电探测器。所述结构包括:衬底、形成于所述衬底上的氧化镓纳米柱、形成于所述氧化镓纳米柱上的银纳米线‑石墨烯复合薄膜。所述方法包括在衬底上生成氧化镓纳米柱,在所述氧化镓纳米柱上转移形成石墨烯薄膜,在所述石墨烯薄膜上附着银纳米线。本发明具有制备工艺简单、成本低廉、易大规模生产等优点。本发明的光电探测器具有自供电、光谱选择性好的特点,对日盲紫外光具有响应度大、灵敏度高等特性。 | ||
搜索关键词: | 基于 纳米 石墨 氧化 光电 探测 结构 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于银纳米线‑石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构,其特征在于,该结构包括:衬底;氧化镓纳米柱,形成于所述衬底上;银纳米线‑石墨烯复合薄膜,形成于所述氧化镓纳米柱上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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