[发明专利]基于银纳米线-石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构、器件及制备方法

权利要求书

1.一种基于银纳米线-石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构，其特征在于，该光电探测结构包括：

透明衬底；其中所述透明衬底为掺氟的SnO₂透明导电FTO衬底、掺铟的SnO₂透明导电ITO电极或者掺铝的ZnO透明导电AZO电极；

氧化镓纳米柱，形成于所述透明衬底上；其中，所述氧化镓纳米柱为α相Ga₂O₃阵列，且在透明衬底上生成所述氧化镓纳米柱的步骤包括：通过水热法在衬底上生长GaOOH纳米柱阵列；对所述GaOOH纳米柱阵列在500℃下退火生成α-Ga₂O₃纳米柱阵列；

银纳米线-石墨烯复合薄膜，形成于所述氧化镓纳米柱上，形成步骤包括：通过化学气相沉积法生长石墨烯并将其通过湿法转移至所述氧化镓纳米柱上方形成石墨烯薄膜，在所述石墨烯薄膜上附着银纳米线；其中，所述银纳米线长度为50μm，直径为150nm。

2.一种基于银纳米线-石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在透明衬底上通过水热法生成GaOOH纳米柱阵列；对所述GaOOH纳米柱阵列在500℃下退火生成α-Ga₂O₃纳米柱阵列；其中所述透明衬底为掺氟的SnO₂透明导电FTO衬底、掺铟的SnO₂透明导电ITO电极或者掺铝的ZnO透明导电AZO电极；

通过化学气相沉积法生长石墨烯并将其通过湿法转移至所述α-Ga₂O₃纳米柱阵列上方形成石墨烯薄膜；

在所述石墨烯薄膜上附着银纳米线；其中，所述银纳米线长度为50μm，直径为150nm。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述石墨烯薄膜上附着银纳米线的步骤包括：将银纳米线溶液通过滴涂法滴在石墨烯表面。

4.一种紫外光光电探测器，其特征在于，包括权利要求1所述的光电探测结构。