[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910392781.6 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110931490B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 李南宰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置及其制造方法。提供了一种半导体装置以及制造半导体装置的方法，该半导体装置包括包围第一沟道结构并且彼此间隔开的多个第一层叠结构。在各个第一层叠结构中，多个第一沟道结构彼此间隔开第一距离，并且多个第一层叠结构彼此间隔开第二距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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