[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

彼此间隔开的多个第一层叠结构；

穿过所述第一层叠结构的多个第一沟道结构的多个第一沟道组，各个所述第一沟道组由多个所述第一层叠结构中的对应的第一层叠结构围绕；

设置在所述第一层叠结构上方或下方的第二层叠结构；以及

穿过所述第二层叠结构并以一对一的方式联接到所述第一沟道结构的多个第二沟道结构，

其中，多个所述第一沟道结构在多个所述第一层叠结构中的对应的第一层叠结构内彼此间隔开第一距离，并且

其中，多个所述第一沟道组彼此间隔开第二距离，所述第二距离大于所述第一距离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二层叠结构包括与多个所述第一层叠结构之间的分离区域交叠的连接区域。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，多个所述第一沟道结构当中的与所述分离区域相邻的边缘沟道结构与所述分离区域之间的水平距离大于多个所述第二沟道结构当中的与所述分离区域相邻的中央沟道结构与所述分离区域之间的水平距离。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述中央沟道结构包括与所述分离区域交叠的部分。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，各个所述第一层叠结构包括选择栅极以及在所述选择栅极上方的绝缘图案。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二层叠结构包括彼此交替地层叠的多个层间绝缘层和多个导电图案。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，多个所述第二沟道结构被布置为彼此之间的距离小于所述第二距离。

8.一种半导体装置，该半导体装置包括：

通过第一分离区域彼此间隔开的多个第一层叠结构；

穿过所述第一层叠结构的多个第一沟道结构；

设置在所述第一层叠结构上方或下方并且包括与所述第一分离区域交叠的连接区域的第二层叠结构；以及

穿过所述第二层叠结构并以一对一的方式联接到所述第一沟道结构的多个第二沟道结构，

其中，所述第二沟道结构被设置为比所述第一沟道结构更靠近所述连接区域，

其中，在各个所述第一层叠结构中，多个所述第一沟道结构彼此间隔开第一距离布置，并且

其中，多个所述第一沟道结构当中的隔着所述第一分离区域彼此邻近的多个边缘沟道结构按照比所述第一距离大的第二距离布置。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，多个所述第二沟道结构按照比所述第二距离小的距离布置。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，各个所述第一层叠结构包括选择栅极以及在所述选择栅极上方的绝缘图案。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二层叠结构包括彼此交替地层叠的多个层间绝缘层和多个导电图案。

12.一种半导体装置，该半导体装置包括：

多个单元层叠结构，各个单元层叠结构包括连接区域以及从所述连接区域的两侧延伸的侧区域，并且多个所述单元层叠结构通过狭缝彼此分离；

多个选择层叠结构，多个所述选择层叠结构设置在所述单元层叠结构上方或下方并且通过与所述连接区域交叠的第一分离区域或者与所述狭缝交叠的第二分离区域而彼此分离；

多个第一沟道结构，所述第一沟道结构穿过所述选择层叠结构；以及

多个第二沟道结构，所述第二沟道结构穿过所述单元层叠结构并以一对一的方式联接到所述第一沟道结构，

其中，所述第一沟道结构被设置为比所述第二沟道结构更靠近所述第二分离区域。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，在各个所述选择层叠结构中，多个所述第一沟道结构彼此间隔开第一距离布置。