[发明专利]光电器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910392099.7 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110471140A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 余国民;A.齐尔基 | 申请（专利权）人： | 洛克利光子有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/132;G02B6/138;G02B6/42 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 俞华梁;杨美灵<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种光电器件及其制造方法。所述器件包括：多层光学活性叠层；输入波导，其被布置为将光引导到所述叠层中；输出波导，其被布置为将光引导出所述叠层；以及抗反射涂层，其位于所述输入波导和所述叠层以及所述叠层和所述输出波导之间；其中所述输入波导和所述输出波导由氮化硅形成。 | ||
| 搜索关键词： | 叠层 输出波导 输入波导 光引导 抗反射涂层 光电器件 光学活性 氮化硅 多层 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光电器件，其包括：/n多层光学活性叠层；/n输入波导，所述输入波导用于将光引导到所述叠层中；/n输出波导，所述输出波导用于将光引导出所述叠层；以及/n抗反射涂层，所述抗反射涂层位于所述输入波导和所述叠层以及所述叠层和所述输出波导之间；/n其中所述输入波导和所述输出波导由氮化硅形成。/n
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