[发明专利]光电器件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电器件，其包括：

多层光学活性叠层；

输入波导，所述输入波导用于将光引导到所述叠层中；

输出波导，所述输出波导用于将光引导出所述叠层；以及

抗反射涂层，所述抗反射涂层位于所述输入波导和所述叠层以及所述叠层和所述输出波导之间；

其中所述输入波导和所述输出波导由氮化硅形成。

2.根据权利要求1所述的光电器件，其中所述抗反射涂层由氮化硅组分形成，所述氮化硅组分的折射率大于所述输入波导或所述输出波导的氮化硅芯层的折射率。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的光电器件，其中所述抗反射涂层的折射率为至少2.6且不大于2.85。

4.根据前述权利要求中任一项所述的光电器件，其中平行于所述输入波导的引导方向测量的所述抗反射涂层的长度为至少90nm且不大于200nm。

5.根据前述权利要求中任一项所述的光电器件，其中所述输入波导和所述输出波导的芯层的折射率为至少1.9且不大于2.35。

6.根据前述权利要求中任一项所述的光电器件，其中所述光学活性叠层包括多量子阱层。

7.根据前述权利要求中任一项所述的光电器件，其还包括：

第一电极，所述第一电极设置在所述叠层的第一侧上并与之电连接；以及

第二电极，所述第二电极设置在所述叠层的第二侧上并与之电连接。

8.根据前述权利要求中任一项所述的光电器件，其还包括邻近所述叠层的下表面的绝缘层。

9.根据权利要求8所述的光电器件，其还包括设置在所述绝缘层下方的硅衬底。

10.根据前述权利要求中任一项所述的光电器件，其还包括第一硅波导和第二硅波导，所述第一硅波导和所述第二硅波导分别耦合到所述输入波导和所述输出波导。

11.根据权利要求10所述的光电器件，其中所述第一硅波导的高度和所述第二硅波导的高度分别大于所述输入波导的高度和所述输出波导的高度。

12.根据权利要求11所述的光电器件，其中所述输入波导的高度从所述第一硅波导的高度逐渐变细到所述光学活性叠层的高度，并且所述输出波导的高度从所述光学活性叠层的高度逐渐变细到所述第二硅波导的高度。

13.根据前述权利要求中任一项所述的光电器件，其中所述输入波导、所述输出波导和所述光学活性叠层各自具有与所述光学活性叠层相邻测量的高度，所述高度不大于1μm。

14.根据权利要求10-13中任一项所述的光电器件，其中所述第一硅波导和所述第二硅波导的高度不大于3μm。

15.一种由绝缘体上硅晶片形成光电器件的方法，其包括以下步骤：

(a)在与绝缘层相邻的绝缘体上硅层上生长多层光学活性区；

(b)图案化和蚀刻所述多层光学活性区，以提供多层光学活性叠层；

(c)在所述叠层的至少一部分周围沉积抗反射涂层；以及

(d)在所述叠层附近沉积氮化硅输入波导和输出波导，所述氮化硅输入波导和输出波导被布置成分别将光引导进出所述叠层。

16.根据权利要求15所述的方法，其还包括在步骤(a)和(b)之间，在所述光学活性叠层的上表面的顶部上沉积上包覆层的步骤。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述上包覆层由设置在两个绝缘层之间的氮化硅层形成。